基本信息:
- 专利标题： 倒装芯片的高性能硅接触
- 专利标题（英）：High performance silicon contact for flip chip
- 申请号：CN02807548.X 申请日：2002-02-01
- 公开(公告)号：CN1528018A 公开(公告)日：2004-09-08
- 发明人： L·福尔贝斯 , K·Y·阿恩
- 申请人： 微米技术有限公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 微米技术有限公司
- 当前专利权人： 微米技术有限公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 吴立明; 梁永
- 优先权： 09/778,913 2001.02.08 US
- 国际申请： PCT/US2002/002762 2002.02.01
- 国际公布： WO2002/063686 EN 2002.08.15
- 进入国家日期： 2003-09-28
- 主分类号： H01L23/538
- IPC分类号： H01L23/538 ; H01L21/48 ; H01L23/48 ; H01L23/498 ; H01L21/60
摘要：
本发明提供了一种半导体基片(12)，它包含前(14)、后(16)表面并有穿过基片在前(14)、后(16)表面之间伸展的小孔(18、20、22)。小孔(18、20、22)部分地由内壁部分界定并形成外部导电壳层。在贴近至少是一些内壁部分处形成导电材料(54)。接着，在孔内在导电材料上面径向朝内形成一层电介质材料(56)。然后在孔内在电介质材料层(56)上面径向朝内形成一层第二导电材料(60)。后一导电材料构成内部导电同轴线部件。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/538 | ..制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构 |