![垂直腔表面发射激光器及其制造方法](/CN/2002/8/2/images/02810122.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 垂直腔表面发射激光器及其制造方法
- 专利标题(英):Vertical cavity surface emitting laser and a method of fabrication thereof
- 申请号:CN02810122.7 申请日:2002-03-08
- 公开(公告)号:CN1524328A 公开(公告)日:2004-08-25
- 发明人: E·卡彭 , V·伊亚科夫勒夫 , A·西尔布 , A·鲁德拉
- 申请人: 洛桑生态综合技术联合公司
- 申请人地址: 瑞士洛桑
- 专利权人: 洛桑生态综合技术联合公司
- 当前专利权人: 洛桑生态综合技术联合公司
- 当前专利权人地址: 瑞士洛桑
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人: 肖春京; 黄力行
- 优先权: 09/809,236 2001.03.15 US; 09/809,239 2001.03.15 US
- 国际申请: PCT/IB2002/000683 2002.03.08
- 国际公布: WO2002/075868 EN 2002.09.26
- 进入国家日期: 2003-11-17
- 主分类号: H01S5/183
- IPC分类号: H01S5/183
摘要:
本发明提供了一种电泵激VCSEL及其制造方法。这种VCSEL包含一夹在顶部和底部DBR叠层之间的活性腔体材料,顶部DBR至少有一个n-半导体层。该器件在活性腔体材料结构表面和顶部DBR叠层的n-半导体层之间确定一个孔区。该结构表面是由台面的顶面形成的,台面至少包含p++/n++隧道结的上n++层和台面之外的p-型层表面。结构表面与DBR叠层的n-半导体层的表面由于它们的变形而相熔合,从而在各熔合表面之间的台面附近产生一个空气隙。活性区被电流孔确定,电流孔包含被空气隙包围的台面,因而可以限制电流流向活性区,而空气隙使得VCSEL中的折射率产生横向变化。
公开/授权文献:
- CN1263209C 垂直腔表面发射激光器及其制造方法 公开/授权日:2006-07-05