基本信息:
- 专利标题： 长波长GaInNAs/GaInAs光学装置
- 专利标题（英）：Long-wave-long Galn NAs/ Galn As optical device
- 申请号：CN200410002886.X 申请日：2004-01-20
- 公开(公告)号：CN1518179A 公开(公告)日：2004-08-04
- 发明人： 林成进
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 陶凤波; 侯宇
- 优先权： 5930/2003 2003.01.29 KR
- 主分类号： H01S5/323
- IPC分类号： H01S5/323 ; H01S5/343 ; H01L33/00
摘要：
本发明提供一种具有GaInNAs/GaInAs结构的光学装置。该光学装置包括：GaInNAs有源层，其具有量子阱结构并产生光；以及两个GaInAs阻挡层，其中一个被沉积在GaInNAs有源层的上表面上，另一个被沉积在GaInNAs有源层的下表面上，并且其具有比GaInNAs有源层高的导带能量和低的价带能量。因此，该光学装置在1.3μm或更长的长波长波段具有优异的光发射性能。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01S | 利用受激发射的器件 |
| ------H01S5/00 | 半导体激光器 |
| --------H01S5/02 | .基本上不涉及激光作用的结构零件或组件 |
| ----------H01S5/32 | ..含有PN结的，例如异结的或双异质结的结构 |
| ------------H01S5/323 | ...用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器 |