基本信息:
- 专利标题： 控制等离子体激励功率的等离子体处理方法和装置
- 专利标题（英）：Plasma processing method and apparatus with control of plasma excitation power
- 申请号：CN02811134.6 申请日：2002-03-29
- 公开(公告)号：CN1513198A 公开(公告)日：2004-07-14
- 发明人： T·尼 , F·林 , C·-H·黄 , W·江
- 申请人： 拉姆研究有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 拉姆研究有限公司
- 当前专利权人： 拉姆研究有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所
- 代理人： 李家麟
- 优先权： 09/821,753 2001.03.30 US
- 国际申请： PCT/US2002/009562 2002.03.29
- 国际公布： WO2002/080214 EN 2002.10.10
- 进入国家日期： 2003-12-01
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32 ; H01L21/762
摘要：
提供到真空等离子体处理腔内的等离子体的RF功率量响应存储于计算机存储器中的信号以预编程为基础逐渐改变。计算机存储器存储信号从而在产生逐渐变化时其它处理腔参数(压强、气体种类和气流速率)保持恒定。所存储的信号使得蚀刻出倒圆的边角而非锐利的边缘，例如沟槽壁和底部的相交部。
公开/授权文献:
- CN100351988C 控制等离子体激励功率的等离子体处理方法和装置 公开/授权日：2007-11-28