基本信息:
- 专利标题： 低介电常数材料以及化学气相沉积（CVD）制备方法
- 专利标题（英）：Method for producing low-dielectric constant material and chemical vapour phase deposition (CVD)
- 申请号：CN200310120274.6 申请日：2003-12-12
- 公开(公告)号：CN1507015A 公开(公告)日：2004-06-23
- 发明人： M·L·奥内尔 , A·S·鲁卡斯 , M·D·比特纳 , J·L·文森特 , R·N·弗蒂斯 , B·K·彼得森
- 申请人： 气体产品与化学公司
- 申请人地址： 美国宾夕法尼亚州
- 专利权人： 气体产品与化学公司
- 当前专利权人： 气体产品与化学公司
- 当前专利权人地址： 美国宾夕法尼亚州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 周慧敏; 段晓玲
- 优先权： 10/317807 2002.12.12 US
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31 ; H01L21/312
摘要：
有机氟化硅玻璃膜既含有有机物质，也含有无机氟，而没有大量的碳氟化合物。较佳膜用公式SivOwCxHyFz来表示，其中，v+w+x+y+z＝100％，v从10到35原子％，w从10到65原子％，y从10到50原子％，x从1到30原子％，z从0.1到15原子％，x/z为大于0.25的任意值，该膜中基本上没有氟碳键合。一个具体实施例，其提供一个化学气相沉积(CVD)方法，该方法包括：提供一个带有基板的真空腔体；将气相反应物注入真空腔体，该反应物包括一种提供氟的气体，一种提供氧的气体，和至少一种前驱气体，其可以是有机硅烷和有机硅氧烷；提供能量来诱发气体反应物反应，并在基板上成膜。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |