基本信息:
- 专利标题： 衬底处理方法、加热处理装置和图形形成方法
- 专利标题（英）：Substrate processing method, heat processing device and graphic forming method
- 申请号：CN200310100255.7 申请日：2003-10-13
- 公开(公告)号：CN1497662A 公开(公告)日：2004-05-19
- 发明人： 川野健二 , 伊藤信一 , 盐原英志
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理人： 陈海红; 段承恩
- 优先权： 299576/2002 2002.10.11 JP
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/027
摘要：
本发明的课题是抑制PEB处理中的酸对于抗蚀剂膜的再次附着。包含：在衬底上形成化学放大型抗蚀剂膜的工序；对上述化学放大型抗蚀剂膜照射能量线以形成潜像的工序；以及对上述化学放大型抗蚀剂膜进行加热处理的工序，一边使加热上述化学放大型抗蚀剂膜的加热部和上述衬底相对地移动，一边在上述加热部下表面与上述化学放大型抗蚀剂膜之间形成相对于上述加热部的相对的移动方向在反方向上流动的气流来进行上述加热处理。
公开/授权文献:
- CN100385610C 衬底处理方法和加热处理装置 公开/授权日：2008-04-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |