基本信息:
- 专利标题： 在圆片面上形成集成电路封装的方法
- 专利标题（英）：Method for forming integrated circuit package at wafer level
- 申请号：CN01808425.7 申请日：2001-04-04
- 公开(公告)号：CN1426599A 公开(公告)日：2003-06-25
- 发明人： K·M·拉姆
- 申请人： 爱特梅尔股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 爱特梅尔股份有限公司
- 当前专利权人： 爱特梅尔股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所
- 代理人： 张政权
- 优先权： 09/558,396 2000.04.25 US
- 国际申请： PCT/US2001/11035 2001.04.04
- 国际公布： WO2001/82361 EN 2001.11.01
- 进入国家日期： 2002-10-21
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56
摘要：
一种在圆片面上形成一集成电路封装的方法。该集成电路封装在一最终使用的印刷电路板上占最少量的空间。焊料凸块(30)或导电粘合剂设置在一硅圆片(21)上表面的金属化引线连接焊盘(23)上。一底层填料－熔剂材料(27)沉积在圆片(21)和焊料凸块(30)上。一预制的插入器衬底(31)由一金属电路(34)和一介质基座(32)组成，并具有多个与所述焊料凸块(30)对齐的金属化通孔(38)。将圆片/插入器组件反流或固化以在插入器件层上的电路(34)和圆片上的电路之间形成电连接。焊球(50)然后被置于插入器衬底上的金属焊盘开孔上并将之反流以形成一圆片面BGA衬底。所述圆片面BGA衬底然后被切割为单个BGA芯片封装。
公开/授权文献:
- CN1181524C 在圆片面上形成集成电路封装的方法 公开/授权日：2004-12-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/56 | ....封装，例如密封层、涂层 |