基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor devices and manufacture thereof
- 申请号：CN02151384.8 申请日：2002-11-20
- 公开(公告)号：CN1424757A 公开(公告)日：2003-06-18
- 发明人： 伊藤富士夫 , 铃木博通
- 申请人： 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 株式会社日立制作所,日立超大规模集成电路系统株式会社
- 当前专利权人： 株式会社日立制作所,日立超大规模集成电路系统株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 王永刚
- 优先权： 381427/2001 2001.12.14 JP; 291975/2002 2002.10.04 JP
- 主分类号： H01L23/50
- IPC分类号： H01L23/50 ; H01L21/50
摘要：
本发明的课题在于推进QFN(四方扁平无引线封装)的多管脚化。半导体芯片2在被安装在管芯底座部4上的状态下被配置在密封体3的中央部。在管芯底座部4的周围，以由与管芯底座部4和悬吊引线5b相同的金属构成的多条引线5包围管芯底座部4的方式进行了配置。这些引线5的一个端部一侧5a经Au焊丝6与半导体芯片2的主面的键合焊盘导电性地连接，另一个端部一侧5c以密封体3的侧面为终端。为了缩短每一条引线5与半导体芯片2的距离，一个端部一侧5a分布在管芯底座部4的附近，一个端部一侧5a的与邻接的引线5的间距比另一个端部一侧5c的与邻接的引线5的间距小。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/50 | ..用于集成电路器件的 |