基本信息:
- 专利标题： 半导体装置及半导体装置的制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for mfg. same
- 申请号：CN02126233.0 申请日：1997-07-10
- 公开(公告)号：CN1420555A 公开(公告)日：2003-05-28
- 发明人： 深泽则雄 , 川原登志实 , 森冈宗知 , 大泽满洋 , 松木浩久 , 小野寺正德 , 河西纯一 , 丸山茂幸 , 竹中正司 , 新间康弘 , 佐久间正夫 , 铃木义美
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 株式会社索思未来
- 当前专利权人地址： 日本神奈川
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 王永刚
- 优先权： 183844/1996 1996.07.12 JP; 276634/1996 1996.10.18 JP; 010683/1997 1997.01.23 JP; 181132/1997 1997.07.07 JP
- 分案原申请号： 971910782
- 主分类号： H01L23/28
- IPC分类号： H01L23/28 ; H01L21/56 ; H01L21/60
摘要：
具备下述工序：树脂密封工序，用于把已形成的配设有突出电极12的多个半导体器件11的衬底16装设到模具20的空腔28内，接着向突出电极12的配设位置供给树脂35密封突出电极12，形成树脂层13；突出电极露出工序，用于使已被树脂层13覆盖的突出电极12的至少顶端部分从树脂层13中露出来；分离工序，用于使衬底16与树脂层13一起切断分离成各个半导体器件。
公开/授权文献:
- CN100428449C 半导体装置 公开/授权日：2008-10-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/28 | .封装，例如密封层、涂覆物 |