基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and its producing method
- 申请号：CN01125590.0 申请日：2001-08-16
- 公开(公告)号：CN1339824A 公开(公告)日：2002-03-13
- 发明人： 竹内祐司 , 荒井史隆
- 申请人： 株式会社东芝
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝
- 当前专利权人： 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 王永刚
- 优先权： 247702/2000 2000.08.17 JP; 261430/2000 2000.08.30 JP
- 主分类号： H01L23/52
- IPC分类号： H01L23/52 ; H01L27/10 ; H01L21/8239 ; H01L21/768
摘要：
作为连接在半导体衬底上线和间距宽度不同的2个线和间距图案组的区域的配线图案,线和间距宽度小的区域的线图案的偶数的图案,在和线和间距宽度大的区域的线图案连接的同时,在长度方向的中途使线宽度阶梯形加粗,线和间距宽度小的区域的线图案的奇数的图案,使其终端位置在连接区域中各不相同。由此,抑制在连接区域上使用光刻法形成细微的配线图案时的析像度和焦深的恶化。
公开/授权文献:
- CN1203547C 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2005-05-25
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/52 | .用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置 |