基本信息:
- 专利标题： 用于自对准器件隔离的电容器沟槽顶部介质
- 专利标题（英）：Isolated capacitor trench top medium for self-aligning device
- 申请号：CN00104064.2 申请日：2000-03-16
- 公开(公告)号：CN1332477A 公开(公告)日：2002-01-23
- 发明人： 拉马·迪瓦卡鲁尼 , 乌里克·格略宁 , 金炳烈 , 杰克·A·曼德尔曼 , 拉里·尼斯比特 , 卡尔·J·拉登斯
- 申请人： 国际商业机器公司 , 西门子公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司,西门子公司
- 当前专利权人： 国际商业机器公司,西门子公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 王永刚
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L21/82 ; H01L21/8242
摘要：
一种包括衬底的半导体器件。至少一对深沟槽被安置在衬底中。颈圈衬在各个深沟槽的至少部分壁上。深沟槽填充物将各个深沟槽填充。掩埋条完全跨越各个深沟槽填充物和各个颈圈上的各个深沟槽延伸。隔离区被安置在各个深沟槽之间。介质区覆盖各个深沟槽中的各个掩埋条。
摘要（英）：
An semiconductor device including substrates has at least a pair of deep channels in the substrate. The neck straps are lined in at least partial walls of the deep channels, and the deep channels arefilled with some stuffing. The buried strips extend across the stuffing in the deep channels and the deep channels on the neck straps. The isolating areas are arranged between the ddep channels. Medium area covers the buried strip in various deep channels.
公开/授权文献:
- CN1156008C 半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2004-06-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/108 | .....动态随机存取存储结构的 |