基本信息:
- 专利标题： MgB2单晶体的制造方法以及含有MgB2单晶体的超导材料
- 专利标题（英）：MgB2 single crystal and its production method, and superconductive material containing MgB2 single crystal
- 申请号：CN02801820.6 申请日：2002-05-21
- 公开(公告)号：CN1318655C 公开(公告)日：2007-05-30
- 发明人： 谢尔金·罗曼诺维奇·李 , 山本文子 , 田岛节子
- 申请人： 财团法人国际超导产业技术研究中心
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 财团法人国际超导产业技术研究中心
- 当前专利权人： 财团法人国际超导产业技术研究中心
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 陈建全
- 优先权： 2001-154581 2001.05.23 JP
- 国际申请： PCT/JP2002/004880 2002.05.21
- 国际公布： WO2002/095093 JA 2002.11.28
- 进入国家日期： 2003-01-23
- 主分类号： C30B29/10
- IPC分类号： C30B29/10 ; C01B35/04
摘要：
本发明的目的是确立MgB2单晶体的制造手段，提供利用其各向异性的超导特性的有用的超导材料(线材等)。Mg和B的混合原料或含有使该混合原料反应得到的MgB2微晶的前驱体以与六方经BN接触的状态保持在高温高压下(1300～1700℃，3～6GPa)并反应，通过中间产物培育成具有各向异性的超导特性的MgB2单晶体。该单晶体的特征在于根据施加磁场的方向而使得不可逆磁场是第二临界磁场的95%以上，所以通过结晶方向的调整而成为具有优良特性的超导材料。另外，在前述反应时，由于有Mg等还原剂共存，在反应中生成的熔融液中产生温度梯度对单晶成长是有利的。
公开/授权文献:
- CN1463306A MgB2单晶体和其制造方法以及含有MgB2单晶体的超导材料 公开/授权日：2003-12-24