基本信息:
- 专利标题： 高性能硅功率器件内的非均匀少数载流子寿命分布
- 专利标题（英）：Non-uniform minority carrier lifetime distribution in high performance silicon power devices
- 申请号：CN99810628.3 申请日：1999-08-05
- 公开(公告)号：CN1317149A 公开(公告)日：2001-10-10
- 发明人： 罗伯特·J·法尔斯特
- 申请人： MEMC电子材料有限公司
- 申请人地址： 美国密苏里
- 专利权人： MEMC电子材料有限公司
- 当前专利权人： MEMC电子材料有限公司
- 当前专利权人地址： 美国密苏里
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 王以平
- 优先权： 60/095,407 1998.08.05 US; 60/098,808 1998.09.02 US
- 国际申请： PCT/US1999/17726 1999.08.05
- 国际公布： WO2000/08677 EN 2000.02.17
- 进入国家日期： 2001-03-05
- 主分类号： H01L21/22
- IPC分类号： H01L21/22 ; H01L29/32
摘要：
一种用于热处理单晶硅段以影响硅段内少数载流子复合中心浓度分布的工艺。此硅段有一个前表面，一个后表面，与一个在前表面和后表面之间的中心平面。在此工艺中，硅段经受一个热处理以形成晶格空位，这些晶格空位形成在硅段的主体内。然后将此硅段从所述热处理温度冷却，其速率使有些而不是全部晶格空位能扩散至前表面以产生具有一个空位浓度分布的硅段，此分布中峰值密度在中心平面处或其附近且密度通常朝硅段前表面方向减小。然后将铂原子扩散到硅基体内使形成的铂浓度分布基本上取决于晶格空位的浓度分布。
公开/授权文献:
- CN1153262C 具有非均匀少数载流子寿命分布的单晶硅及其形成工艺 公开/授权日：2004-06-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/22 | ....杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂 |