![一种场发射显示器的制备方法](/CN/2003/1/2/images/03114070.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种场发射显示器的制备方法
- 专利标题(英):Method for preparing field transmitting display device
- 申请号:CN03114070.X 申请日:2003-03-26
- 公开(公告)号:CN1310270C 公开(公告)日:2007-04-11
- 发明人: 胡昭复 , 陈丕瑾 , 刘亮 , 范守善
- 申请人: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址: 北京市海淀区清华大学物理系
- 专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人: 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华大学物理系
- 主分类号: H01J9/02
- IPC分类号: H01J9/02 ; H01J1/304 ; H01J9/00
摘要:
本发明提供一种场发射显示器的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,在基底上沉积阴极电极,并形成场发射点阵;选择金属板材光刻出与场发射显示点阵相对应的阴罩;在阴罩表面沉积绝缘材料形成阻隔壁;在阻隔壁表面沉积栅极电极;将阻隔壁固定在基底上;将荧光屏与基底封接。该场发射显示器的制备方法利用阴极射线管中非常成熟的阴罩制备工艺,通过在其表面沉积绝缘材料而形成高精度的阻隔壁,可适用于大面积场发射显示器的制备。
公开/授权文献:
- CN1532869A 一种场发射显示器的制备方法 公开/授权日:2004-09-29
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01J | 放电管或放电灯 |
------H01J9/00 | 专用于制造放电管、放电灯及其部件的设备和方法;从放电管或灯回收材料 |
--------H01J9/02 | .电极或电极系统的制造 |