基本信息:
- 专利标题： 氧化物超导导体及其制造方法
- 专利标题（英）：Oxide superconductor and its manufacturing method
- 申请号：CN02127243.3 申请日：2002-06-20
- 公开(公告)号：CN1302487C 公开(公告)日：2007-02-28
- 发明人： 尾锅和宪 , 齐藤隆 , 鹿岛直二 , 长屋重夫
- 申请人： 株式会社藤仓 , 中部电力株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社藤仓,中部电力株式会社
- 当前专利权人： 株式会社藤仓,中部电力株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 温大鹏; 郑建晖
- 优先权： 190243/01 2001.06.22 JP; 190244/01 2001.06.22 JP; 283928/01 2001.09.18 JP
- 主分类号： H01B12/00
- IPC分类号： H01B12/00 ; H01B13/00
摘要：
本发明的目的在于，提供具有优异的强度和超导特性的氧化物超导导体及其制造方法。本发明为了达到上述目的，提供一种氧化物超导导体，其特征在于：是在具备在含有Ag的基材或在其他金属母材的至少一面形成的具有轧制织构的Ag层的氧化物超导体形成用基材上，通过使氧化物超导体的原料气体发生化学反应在所述基材上成膜的方法得到的氧化物超导体层的氧化物超导导体，在所述基材的氧化物超导体层侧的表层部形成在Ag中扩散了Cu的扩散层，在该扩散层上形成所述的氧化物超导体层；以及提供一种氧化物超导导体，其特征在于：在所述多层的氧化物超导体层中，基材之上的所述氧化物超导体层的Cu含量比其他所述氧化物超导体层的Cu含量浓度更高。
公开/授权文献:
- CN1395261A 氧化物超导导体及其制造方法 公开/授权日：2003-02-05
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 |
| ------H01B12/00 | 组优先于H01B5/00至H01B11/00各组。 |