基本信息:
- 专利标题： 控制MOCVD淀积的PCMO组成的先驱物溶液和方法
- 专利标题（英）：Precursor solution for controling MOCVD deposited PCMO component and method
- 申请号：CN200410030292.X 申请日：2004-02-27
- 公开(公告)号：CN1298887C 公开(公告)日：2007-02-07
- 发明人： 李廷凯 , 庄维佛 , L·J·查内斯基 , D·R·埃文斯 , 许胜籐
- 申请人： 夏普株式会社
- 申请人地址： 日本大阪市
- 专利权人： 夏普株式会社
- 当前专利权人： 夏普株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 张天安; 郑建晖
- 优先权： 10/377244 2003.02.27 US
- 主分类号： C23C16/40
- IPC分类号： C23C16/40 ; H01C17/14
摘要：
提供一种单一溶液MOCVD先驱物，以便淀积PCMO。提供采用决定先驱物溶液内各金属分成的淀积速度，根据在衬底温度和蒸发器温度的温度范围内各自的淀积速度和淀积的PCMO的组成决定金属的摩尔比，控制PCMO的组成的MOCVD工艺。PCMO的组成通过调节衬底温度，蒸发器温度或其两者而进一步控制。
公开/授权文献:
- CN1532303A 控制MOCVD淀积的PCMO组成的先驱物溶液和方法 公开/授权日：2004-09-29