基本信息:
- 专利标题： 激光辐照装置和激光辐照方法
- 专利标题（英）：Laser irradiation apparatus and laser irradiation method
- 申请号：CN01143297.7 申请日：2001-12-26
- 公开(公告)号：CN1282232C 公开(公告)日：2006-10-25
- 发明人： 田中幸一郎 , 中节男 , 八木武人 , 石井干人 , 西田健一郎 , 河口纪仁 , 正木美由纪 , 芳之内淳
- 申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 石川岛播磨重工业株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县
- 专利权人： 株式会社半导体能源研究所,石川岛播磨重工业株式会社
- 当前专利权人： 株式会社半导体能源研究所,石川岛播磨重工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 王岳; 梁永
- 优先权： 396317/00 2000.12.26 JP
- 主分类号： H01L21/324
- IPC分类号： H01L21/324 ; G02F1/00 ; H01S3/00
摘要：
一种运行成本比传统装置低的激光辐照装置，以及使用该装置的激光辐照方法。其形成的晶粒大小与传统的同数量级或更大。半导体薄膜冷却速度更低，而且可以形成与用输出时间长的激光辐照半导体薄膜时所形成的颗粒大小同数量级或更大颗粒的晶粒。通过在用短输出时间的固态激光器作光源时，相对于另一个激光延迟一个激光，组合这些激光，并将其辐照在半导体薄膜上，可以实现这个效果。
公开/授权文献:
- CN1362729A 激光辐照装置和激光辐照方法 公开/授权日：2002-08-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/324 | .....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结 |