基本信息:
- 专利标题： 一种后端金属化工艺
- 专利标题（英）：Back-end metallisation process
- 申请号：CN02801022.1 申请日：2002-03-21
- 公开(公告)号：CN1247824C 公开(公告)日：2006-03-29
- 发明人： E·A·莫伊伦坎普 , M·J·施雷弗斯
- 申请人： 皇家菲利浦电子有限公司
- 申请人地址： 荷兰艾恩德霍芬
- 专利权人： 皇家菲利浦电子有限公司
- 当前专利权人： 荷兰艾恩德霍芬
- 当前专利权人地址： 荷兰艾恩德霍芬
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 章社杲
- 优先权： 01201228.2 2001.04.04 EP
- 国际申请： PCT/IB2002/000940 2002.03.21
- 国际公布： WO2002/081782 EN 2002.10.17
- 进入国家日期： 2002-12-02
- 主分类号： C25D5/10
- IPC分类号： C25D5/10 ; C25D7/04 ; H05K3/18
摘要：
本发明公开了一种用铜填满凹槽的后端金属化工艺，其包括在凹槽表面上形成电镀基底以进行铜的后续电沉积的步骤，其中，在电镀基底形成后，在铜的电沉积之前，将一种可吸引到未被电镀基底覆盖的表面区域的改性剂加入凹槽中，从而对所述表面进行改性以促进该表面的铜的生长，因此可以在镀铜填充开始之前有效地修补初始电镀基底。
公开/授权文献:
- CN1460135A 一种后端金属化工艺 公开/授权日：2003-12-03
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C25 | 电解或电泳工艺；其所用设备 |
| ----C25D | 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸；工件的电解法接合；所用的装置 |
| ------C25D5/00 | 以工艺方法为特征的电镀；工件的预处理或后处理 |
| --------C25D5/10 | .一层以上相同金属或不同金属的电镀 |