基本信息:
- 专利标题： 能够抑制电流在焊盘里集中的半导体器件及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device capable of depressing current concentration on welding pad and producing method thereof
- 申请号：CN02106180.7 申请日：2002-04-08
- 公开(公告)号：CN1231960C 公开(公告)日：2005-12-14
- 发明人： 渡边健一
- 申请人： 富士通株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川
- 专利权人： 富士通株式会社
- 当前专利权人： 富士通半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本神奈川
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 王永刚
- 优先权： 271416/2001 2001.09.07 JP
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/3205
摘要：
在半导体衬底上形成一层间绝缘膜。在层间绝缘膜上形成一内层绝缘膜。穿过层内膜形成一凹槽。凹槽具有一个焊盘部分和一个连着焊盘部分的布线部分。焊盘部分的宽度宽于布线部分的宽度。焊盘部分留有许多凸出区域。凸出区域以这样一种方式分布，即邻近布线区的凹槽区比率高于第二框形区的凹槽区比率，邻近布线区重叠于布线地区延伸进焊盘地区的区域之上，且处在把焊盘部分的外边界线作为外边界线并具有第一宽度的第一框形区之内，而第二框形区则把第一框形区的内边界线作为外边界线并具有第二宽度。在凹槽中填充导电膜。
公开/授权文献:
- CN1404135A 能够抑制电流在焊盘里集中的半导体器件及其制造方法 公开/授权日：2003-03-19
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |