基本信息:
- 专利标题： 物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法
- 专利标题（英）：Object separating apparatus and method, and method of manufacturing semiconductor substrate
- 申请号：CN98126335.6 申请日：1998-12-25
- 公开(公告)号：CN1221973A 公开(公告)日：1999-07-07
- 发明人： 近江和明 , 米原隆夫 , 坂口清文 , 柳田一隆
- 申请人： 佳能株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 王永刚
- 优先权： 361014/97 1997.12.26 JP
- 主分类号： H01L21/30
- IPC分类号： H01L21/30 ; H01L21/68 ; H01L21/02
摘要：
提供了一种在多孔层处分离带有多孔层的衬底的装置。带有多孔层(101b)的键合衬底叠层(101)在旋转的情况下由衬底固定部分(108,109)支持。高速高压的水(射流)从喷嘴(112)射出并注入到键合衬底叠层(101),从而物理上将键合衬底叠层(101)分离成二个衬底。射流压力根据分离工艺的进展而恰当地改变。
公开/授权文献:
- CN1153264C 物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法 公开/授权日：2004-06-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/30 | ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的 |