基本信息:
- 专利标题： 声表面波器件及其制造工艺
- 专利标题（英）：Surface acoustic wave appts. and method of prodn. thereof
- 申请号：CN98801385.1 申请日：1998-07-02
- 公开(公告)号：CN1205744C 公开(公告)日：2005-06-08
- 发明人： 木村悟利 , 中野正洋 , 佐藤胜男
- 申请人： TDK株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： TDK株式会社
- 当前专利权人： 快速追踪有限公司
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 王以平
- 优先权： 275173/1997 1997.09.22 JP; 284443/1997 1997.10.01 JP
- 国际申请： PCT/JP1998/002981 1998.07.02
- 国际公布： WO1999/016168 JA 1999.04.01
- 进入国家日期： 1999-05-21
- 主分类号： H03H9/145
- IPC分类号： H03H9/145 ; H03H9/25 ; H03H3/08
摘要：
提供一种声表面波器件及其制造工艺。该声表面波器件，包括由64°旋转Y-切割铌酸锂(64LN)或36°旋转Y-切割的钽酸锂(36LT)构成的压电衬底和在其上形成的叉指电极。叉指电极包括钛缓冲金属膜和在其上形成的铝膜。在64LN衬底上，仅从选区电子衍射结果看，钛缓冲金属膜和铝膜都是单晶薄膜；在36LT衬底上，通过在钛缓冲金属膜上形成铝膜可获得取向能力强的、在(111)方向上取向的多晶铝膜。当铝膜转化成单晶或取向强的(111)取向多晶体时，都可以阻止铝原子的迁移，提高功率寿命。
公开/授权文献:
- CN1239603A 声表面波器件及其制造工艺 公开/授权日：1999-12-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03H | 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器 |
| ------H03H9/00 | 包括机电或电声元件的网络，如谐振电路 |
| --------H03H9/02 | .零部件 |
| ----------H03H9/05 | ..支座；支承物 |
| ------------H03H9/145 | ...用于应用声表面波的网络 |