基本信息:
- 专利标题： 影像传感器单层导线架二次半蚀刻制备方法
- 专利标题（英）：Image sensor single-layer conductor rest secondary semi-etching mfg. method
- 申请号：CN03129753.6 申请日：2003-05-15
- 公开(公告)号：CN1196185C 公开(公告)日：2005-04-06
- 发明人： 王鸿仁
- 申请人： 王鸿仁
- 申请人地址： 中国台湾
- 专利权人： 王鸿仁
- 当前专利权人： 中国台湾
- 当前专利权人地址： 中国台湾
- 代理机构： 天津三元专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 胡婉明
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L21/48 ; H01L23/48 ; H01L21/58
摘要：
影像传感器单层导线架二次半蚀刻制备方法，其包括：在平板状导体衬底顶面半蚀刻出芯片座与各管脚位置和形状；在芯片座底部与各管脚内侧底部半蚀刻出凹入结构，进行塑料预模镶嵌与电性隔离；将蚀刻成的导线架电镀且镶嵌在塑料预模中；感测芯片胶粘在芯片座顶面并在各管脚内侧顶面间焊线，塑料预模凸墙顶面粘贴玻璃盖板包覆感测芯片，节省加工时间，产品质量好。
公开/授权文献:
- CN1452229A 影像传感器单层导线架二次半蚀刻制备方法及其封装结构 公开/授权日：2003-10-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |