基本信息:
- 专利标题： 等离子体源及使用该等离子体源的离子注入装置
- 专利标题（英）：Plasma source and ion injector using same
- 申请号：CN00104533.4 申请日：2000-02-02
- 公开(公告)号：CN1191741C 公开(公告)日：2005-03-02
- 发明人： 酒井滋树 , 高桥正人
- 申请人： 日新电机株式会社
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 日新电机株式会社
- 当前专利权人： 日新电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 叶恺东
- 优先权： 25024/1999 1999.02.02 JP
- 主分类号： H05H1/24
- IPC分类号： H05H1/24 ; H05H3/02 ; H01J27/18 ; H01J37/08 ; C23C14/48
摘要：
防止在发射的等离子体中包含高能量的电子。等离子体源2a配有电磁铁40(磁场发生装置)，该电磁铁在等离子体室容器内，在与等离子体发射孔8的等离子体发射方向22交叉的方向上产生引起电子回旋共振的磁场B。
公开/授权文献:
- CN1269692A 等离子体源 公开/授权日：2000-10-11