
基本信息:
- 专利标题: 功率器件及其制备方法
- 申请号:CN202411452930.0 申请日:2024-10-17
- 公开(公告)号:CN118983333A 公开(公告)日:2024-11-19
- 发明人: 李理
- 申请人: 珠海格力电子元器件有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
- 申请人地址: 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)
- 专利权人: 珠海格力电子元器件有限公司,珠海格力电器股份有限公司
- 当前专利权人: 珠海格力电子元器件有限公司,珠海格力电器股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)
- 代理机构: 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人: 王露玲
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/78 ; H01L29/861 ; H01L21/329 ; H01L21/336
摘要:
本申请公开了一种功率器件及其制备方法,功率器件包括:衬底,衬底具有第一表面;第一外延层设置在第一表面上,第一外延层包括沿第一方向分布的多个外延区域,各外延区域具有背离衬底的第二表面,在第二方向上多个外延区域的第二表面与第一表面具有不同的距离,第一方向平行于第一表面,第二方向垂直于第一表面,第一外延层具有第一掺杂类型;多个注入区,注入区设置在外延区域中,且注入区背离衬底的表面位于第二表面中,每个外延区域中设置有至少一个注入区;第二外延层,第二外延层位于第一外延层背离衬底的一侧,第二外延层与注入区接触,第二外延层与注入区具有第二掺杂类型。以解决相关技术中场限环结构的功率器件击穿电压低的问题。
公开/授权文献:
- CN118983333B 功率器件及其制备方法 公开/授权日:2024-12-31