![半导体激光装置](/CN/2022/8/18/images/202280094007.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 半导体激光装置
- 申请号:CN202280094007.7 申请日:2022-11-24
- 公开(公告)号:CN118975073A 公开(公告)日:2024-11-15
- 发明人: 泷谦司 , 多田昌浩 , 大野启 , 菱田光起 , 石桥明彦
- 申请人: 松下控股株式会社
- 申请人地址: 日本
- 专利权人: 松下控股株式会社
- 当前专利权人: 松下控股株式会社
- 当前专利权人地址: 日本
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人: 齐秀凤
- 优先权: 2022-056327 2022.03.30 JP
- 国际申请: PCT/JP2022/043314 2022.11.24
- 国际公布: WO2023/188534 JP 2023.10.05
- 进入国家日期: 2024-09-23
- 主分类号: H01S5/0222
- IPC分类号: H01S5/0222 ; H01S5/02253 ; H01S5/40
摘要:
半导体激光装置具备:射出激光的至少1个激光元件;在内部收纳所述至少1个激光元件的收纳部;从所述收纳部的外部供给气体的气体供给部;和将所述收纳部的内部的气体排气到所述收纳部的外部的气体排气部,所述气体供给部具有从铅垂方向下侧向所述至少1个激光元件的周围当中的激光射出侧的空间供给气体的至少1个第1吸气口,所述气体排气部具有配置于在铅垂方向上与所述至少1个第1吸气口对置的位置的至少1个第1排气口。
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01S | 利用受激发射的器件 |
------H01S5/00 | 半导体激光器 |
--------H01S5/02 | .基本上不涉及激光作用的结构零件或组件 |
----------H01S5/022 | ..安装座;外壳 |
------------H01S5/02208 | ...以外壳形状为特征的 |
--------------H01S5/0222 | ....外壳内气体的填充 |