基本信息:
- 专利标题： NORD闪存存储器版图及NORD闪存存储器
- 申请号：CN202411028843.2 申请日：2024-07-29
- 公开(公告)号：CN118973264A 公开(公告)日：2024-11-15
- 发明人： 朱景润 , 刘宪周 , 李冰寒
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 宋艳
- 主分类号： H10B41/35
- IPC分类号： H10B41/35 ; H10B41/41
摘要：
本发明提供NORD闪存存储器版图及NORD闪存存储器，通过在端头区内设置多个第二浮栅图形以切断第一控制栅图形和所述第二控制栅图形，且在相邻两个端头区中，同一第一浮栅图形上的第二浮栅图形奇偶交错设置，以及第二浮栅图形包括位于所述第一浮栅图形上的第一部分和位于所述第一浮栅图形两侧的第二部分，所述第一部分与所述有源区阵列的距离大于所述第二部分与所述有源区阵列的距离。也即第二浮栅图形的第一部分朝远离有源区阵列的方向平移，增大了第二浮栅图形的第一部分与相邻有源区阵列的距离，降低了形成第二浮栅图形的工艺中在有源区阵列产生凹坑的风险。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B41/00 | 具有浮栅的电可擦除和可编程只读存储器 |
| --------H10B41/20 | .以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层 |
| ----------H10B41/35 | ..具有单元选择晶体管，例如，NAND |