基本信息:
- 专利标题： Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法
- 申请号：CN202411028519.0 申请日：2024-07-29
- 公开(公告)号：CN118973262A 公开(公告)日：2024-11-15
- 发明人： 王俊凡 , 杨辉
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 宋艳
- 主分类号： H10B41/35
- IPC分类号： H10B41/35 ; H10B41/41 ; H01L21/66
摘要：
本发明提供了一种Nord闪存及Nord闪存电性参数的测试方法，包括衬底，衬底分为器件区、连接区和外围区，器件区用于形成存储结构，连接区用于将控制栅层连出，外围区用于形成外围电路；在器件区的衬底上和外围区的衬底上分别形成有浮栅层、层间介质层、控制栅层以及位于控制栅层之间的字线，字线还通过隧穿氧化层和氮化物侧墙与控制栅层和层间介质层隔开，字线通过隧穿氧化层与浮栅层隔开，其中，外围区的层间介质层露出部分浮栅层的表面。通过对外围区的字线和连接区的控制栅施加电压，测试外围区浮栅层上的电压检测了控制栅层与浮栅层的耦合系数以及字线与浮栅层的耦合系数，同时，还监控到了层间介质层质量。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B41/00 | 具有浮栅的电可擦除和可编程只读存储器 |
| --------H10B41/20 | .以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层 |
| ----------H10B41/35 | ..具有单元选择晶体管，例如，NAND |