基本信息:
- 专利标题： 一种纳米电磁屏蔽材料的制备方法
- 申请号：CN202310680799.2 申请日：2023-06-09
- 公开(公告)号：CN118973236A 公开(公告)日：2024-11-15
- 发明人： 唐毅 , 桑柳波 , 刘瑞 , 阳婷
- 申请人： 中科广化（重庆）新材料研究院有限公司
- 申请人地址： 重庆市北碚区云禾路74号5楼
- 专利权人： 中科广化（重庆）新材料研究院有限公司
- 当前专利权人： 中科广化（重庆）新材料研究院有限公司
- 当前专利权人地址： 重庆市北碚区云禾路74号5楼
- 代理机构： 成都环泰专利代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 何佰骏; 李斌
- 主分类号： H05K9/00
- IPC分类号： H05K9/00
摘要：
本发明公开了一种纳米电磁屏蔽材料的制备方法,涉及纳米电磁屏蔽技术领域，纳米电磁屏蔽材料包括PVDF复合材料组成，所述PVDF复合材料中存在MXene和SiC，制备步骤如下：首先将被PDDA水溶液处理后的SiC纳米线与MXene(TiCT)纳米片在DMF溶液中通过静电组装耦合，并加入PVDF在DMF溶液中搅拌均匀，之后通过水相分离和热压获得上层吸收层，然后将MWCNT，GNPs和PVDF加入DMF溶液搅拌均匀，之后通过水相分离和热压获得下层反射层，将S2中的吸收层和S4中的反射层热压在一起后，使用超临界发泡；本发明的纳米电磁屏蔽材料制备采用导电多孔/泡沫结构，可以有效调整阻抗匹配，降低表面电磁波反射率，同时提高电磁波吸收能力，从而实现高效的电磁屏蔽能力和超低反射率。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H05 | 其他类目不包含的电技术 |
| ----H05K | 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造 |
| ------H05K9/00 | 设备或元件对电场或磁场的屏蔽 |