
基本信息:
- 专利标题: 一种外延设备清洁方法及外延片、计算机可读介质
- 申请号:CN202411028001.7 申请日:2024-07-30
- 公开(公告)号:CN118950633A 公开(公告)日:2024-11-15
- 发明人: 梁鹏欢
- 申请人: 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 , 西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
- 专利权人: 西安奕斯伟材料科技股份有限公司,西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 当前专利权人: 西安奕斯伟材料科技股份有限公司,西安奕斯伟硅片技术有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室
- 代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理人: 姜精斌
- 主分类号: B08B9/08
- IPC分类号: B08B9/08 ; H01L21/67 ; B08B9/093 ; B08B9/02 ; B08B7/00 ; B08B7/04 ; B08B5/02
摘要:
本公开提供了一种外延设备清洁方法及外延片、计算机可读介质,该方法包括:对外延设备的反应腔室进行初步吹扫和初步升温;对反应腔室执行可重复清洁步骤,可重复清洁步骤包括:对反应腔室进行吹扫、升温、氢气烘烤、输送刻蚀气体、吹扫、冷却;对反应腔室进行降温,使腔室温度降温至外延生长时的工艺温度;将空白测试硅片置于反应腔室内长膜,得到测试外延片;检测测试外延片的表面颗粒,以判断反应腔室的清洁指标是否符合预设清洁指标;若反应腔室的清洁指标不符合预设清洁指标,再次执行可重复清洁步骤,直至清洁指标符合预设清洁指标为止。本公开的外延设备清洁方法及外延片、计算机可读介质,能够减少外延片颗粒污染,提高产品品质。
IPC结构图谱:
B | 作业;运输 |
--B08 | 清洁 |
----B08B | 一般清洁;一般污垢的防除 |
------B08B9/00 | 用专门的方法或设备清洁空心物品 |
--------B08B9/08 | .清洗容器,如槽的清洗 |