基本信息:
- 专利标题： 一种嵌入式SONOS存储器的制造方法
- 申请号：CN202410907024.9 申请日：2024-07-08
- 公开(公告)号：CN118946156A 公开(公告)日：2024-11-12
- 发明人： 王宁 , 张可钢
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 王关根
- 主分类号： H10B43/30
- IPC分类号： H10B43/30 ; H10B43/40
摘要：
本发明提供一种嵌入式SONOS存储器的制造方法，包括提供衬底，在衬底中形成有源区；进行逻辑区阱注入；在衬底上依次形成栅氧化层和第一多晶硅层；刻蚀去除位于存储区的第一多晶硅层，对存储区进行阱注入；刻蚀去除位于存储区的栅氧化层，在衬底上方形成ONO层；进行选择管源端注入，刻蚀去除位于选择管的ONO层；生长选择管栅氧化层，并在衬底上形成第二多晶硅层；刻蚀位于存储区的第二多晶硅层，对存储区进行轻掺杂注入。本发明逻辑区、存储区多晶硅栅分别生长和刻蚀，厚度和尺寸可根据需要分别调控；逻辑区、选择管栅氧分别生长可单独调控；SONOS管和选择管使用同一多晶硅栅工艺便于集成；存储区阱、轻掺杂和选择管注入均使用自对准注入，有利于节省光罩。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B43/00 | 具有电荷俘获栅极绝缘层的EEPROM |
| --------H10B43/30 | .以存储器核心区为特征的 |