基本信息:
- 专利标题： 半导体装置及半导体装置的制造方法
- 申请号：CN202311329262.8 申请日：2023-10-13
- 公开(公告)号：CN118946153A 公开(公告)日：2024-11-12
- 发明人： 郑盛旭
- 申请人： 爱思开海力士有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人： 爱思开海力士有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理人： 叶朝君; 党晓林
- 优先权： 10-2023-0060352 2023.05.10 KR
- 主分类号： H10B43/20
- IPC分类号： H10B43/20 ; H10B41/20 ; H10B41/40 ; H10B43/40
摘要：
本申请涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置可以包括：第一半导体结构，其包括页缓冲器、第一外围电路、位于页缓冲器上的位线、以及位于位线上的层叠物，层叠物包括a)阶梯结构、b)位于层叠物上的源极结构和c)延伸穿过层叠物的沟道结构；以及第二半导体结构，其接合到第一半导体结构并且第二半导体结构包括a)被定位为面向源极结构的第二外围电路和b)被定位为面向阶梯结构的通过晶体管。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10B | 电存储器件 |
| ------H10B43/00 | 具有电荷俘获栅极绝缘层的EEPROM |
| --------H10B43/20 | .以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层 |