基本信息:
- 专利标题： 一种超大面阵红外焦平面探测器读出电路修复方法
- 申请号：CN202410945746.3 申请日：2024-07-15
- 公开(公告)号：CN118943035A 公开(公告)日：2024-11-12
- 发明人： 李乾 , 牛佳佳 , 折伟林 , 欧阳甜 , 苑宁
- 申请人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路4号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第十一研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路4号
- 代理机构： 工业和信息化部电子专利中心
- 代理人： 焉明涛
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L27/146 ; H01L31/18
摘要：
本发明提出了一种超大面阵红外焦平面探测器读出电路修复方法，包括：对于芯片进行导通测试，筛选故障芯片；基于故障芯片表面建立直角坐标系，通过OBIRCH测试仪在芯片表面确定读出电路的故障点及其XY坐标区域；通过OBIRCH测试仪的激光对故障点进行标示，并通过记号笔标记；通过FIB‑SEM双束扫描电子显微镜对故障点的XY坐标区域由电路层表面向其内部进行逐层刻蚀，并且逐层缩小刻蚀区域，形成阶梯式的刻蚀结构，直至故障点区域内电路层完全消失。本申请可以精确地隔离或修复故障点，同时避免了对周围正常电路的过度损伤，仍然可用于后续红外探测器加工工艺，降低了读出电路的修复难度，修复效果更好，节约财力、物力与时间成本。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |