基本信息:
- 专利标题： 存储单元、存储器、存储器结构以及存储器的工作方法
- 申请号：CN202310526084.1 申请日：2023-05-10
- 公开(公告)号：CN118942511A 公开(公告)日：2024-11-12
- 发明人： 王一森 , 张雅 , 渠超越 , 曾宗康 , 杨承
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐文欣
- 主分类号： G11C11/412
- IPC分类号： G11C11/412 ; G11C11/418 ; G11C11/419 ; H10B10/00
摘要：
一种存储单元、存储器、存储器结构以及存储器的工作方法，存储单元包括：第一反相器；第二反相器；第一访问晶体管，一端与所述第一反相器连接；第二访问晶体管，一端与所述第二反相器连接；第一节点，所述第一访问晶体管的另一端与所述第一节点连接；第二节点，所述第二访问晶体管的另一端与所述第二节点连接；第三访问晶体管，一端与所述第一节点连接；第四访问晶体管，一端与所述第二节点连接；第一位线，与所述第三访问晶体管的另一端连接；第二位线，与所述第四访问晶体管的另一端连接；字线，与所述第一访问晶体管、第二访问晶体管、第三访问晶体管和第四访问晶体管连接。所述存储单元的漏电流减小。
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |
| ----------G11C11/412 | .....只使用场效应晶体管的 |