
基本信息:
- 专利标题: 一种氧化铈粉体抛光材料的制备方法
- 申请号:CN202410982278.7 申请日:2024-07-22
- 公开(公告)号:CN118929731A 公开(公告)日:2024-11-12
- 发明人: 曲晟
- 申请人: 沈阳工业大学
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- 专利权人: 沈阳工业大学
- 当前专利权人: 沈阳工业大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- 代理机构: 北京声华知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人: 张军
- 主分类号: C01F17/235
- IPC分类号: C01F17/235 ; C01F17/10 ; B01J19/08 ; C09G1/02
摘要:
本发明公开了一种氧化铈粉体抛光材料的制备方法,本发明采用六水硝酸铈为原料,首先通过反溶剂析出法制备六水硝酸铈球形颗粒,然后在脉冲电场诱导下加热分解生成氧化铈粉体,最终在1500℃下煅烧获得粒度分布均匀,颗粒直径为1μm~3μm且颗粒中纳米级粒子结晶体呈立方结构,具有明显定向结晶取向的高性能氧化铈粉体抛光材料。本发明与常规法制备的氧化铈粉体相比,其显著优点和效果在于,使用本发明氧化铈粉体抛光材料时抛光液消耗量不仅明显减少,抛光时的材料去除率和材料去除深度还分别提高了许多,微观表面的凹坑和划痕显著减少。通过本发明纳米级的精细抛光,使硅片表面纳米级的面型精度和表面粗糙度质量平均提高了一倍以上。
IPC结构图谱:
C01F17/235 | 铈的氧化物或氢氧化物 |