![用于清洁多站半导体处理室的装置和技术](/CN/2022/8/17/images/202280089859.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 用于清洁多站半导体处理室的装置和技术
- 申请号:CN202280089859.7 申请日:2022-11-21
- 公开(公告)号:CN118891705A 公开(公告)日:2024-11-01
- 发明人: 孟昕 , 陈新益 , 斯里拉姆·松蒂 , 凯文·博特什 , 梁德富 , 陈焯智 , 罗希特·欧德 , 威廉·施洛瑟 , 郭曈曈 , 雷切尔·巴策尔
- 申请人: 朗姆研究公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 朗姆研究公司
- 当前专利权人: 朗姆研究公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海胜康律师事务所
- 代理人: 樊英如; 张静
- 优先权: 63/264,457 2021.11.23 US
- 国际申请: PCT/US2022/080277 2022.11.21
- 国际公布: WO2023/097193 US 2023.06.01
- 进入国家日期: 2024-07-23
- 主分类号: H01L21/67
- IPC分类号: H01L21/67 ; H01L21/677 ; H01L21/687 ; H01J37/32 ; B08B7/00
摘要:
公开了用于在多站半导体处理室内对清洁化学物质流重新导向的系统和方法。在这样的系统中,清洁化学物质流(例如来自远程等离子体产生器的等离子体)可被引导至转位器的中枢器上,该转位器置中地安置在室内。中枢器可具有使清洁化学物质流重新导向成径向朝外方向的特征。通过旋转中枢器和/或改变中枢器与提供清洁化学物质的清洁化学物质入口之间的相对高度位置,清洁化学物质可被重新导向至室的不同区域中,因而允许更彻底且完整的清洁处理。
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |