基本信息:
- 专利标题： 快恢复二极管及其制备方法
- 申请号：CN202410964700.6 申请日：2024-07-18
- 公开(公告)号：CN118888571A 公开(公告)日：2024-11-01
- 发明人： 曹梦玲 , 周东飞 , 钟圣荣
- 申请人： 上海贝岭股份有限公司
- 申请人地址： 上海市徐汇区宜山路810号
- 专利权人： 上海贝岭股份有限公司
- 当前专利权人： 上海贝岭股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市徐汇区宜山路810号
- 代理机构： 上海弼兴律师事务所
- 代理人： 林嵩; 陈臻晔
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L29/868 ; H01L21/329
摘要：
本公开提供了一种快恢复二极管及其制备方法。所述制备方法包括：在衬底上依次叠设若干个外延层；其中，每个所述外延层中均设有多个间隔排列的掺杂区，且从下至上的每个所述外延层中的所述掺杂区的预设参数依次递减。本公开通过在多层外延层中形成宽度递减、掺杂浓度递减的P型掺杂区，从而有效使反向恢复过程中的载流子复合速度呈梯度减小，提高器件反向恢复的软度和可靠性；且越靠近阴极侧，P型掺杂区注入窗口越大，掺杂浓度越高，越能够有效降低阴极电子的消耗，进一步提升了快恢复二极管的反向恢复软度。