基本信息:
- 专利标题： 永磁体的局部区域的退磁方法、装置及磁体
- 申请号：CN202411324901.6 申请日：2024-09-23
- 公开(公告)号：CN118888256A 公开(公告)日：2024-11-01
- 发明人： 王进东 , 付国安 , 钮萼 , 王湛 , 刘风乔 , 饶晓雷
- 申请人： 北京中科三环高技术股份有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区中关村东路66号甲1号楼A座27层
- 专利权人： 北京中科三环高技术股份有限公司
- 当前专利权人： 北京中科三环高技术股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区中关村东路66号甲1号楼A座27层
- 代理机构： 北京律和信知识产权代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 刘国伟; 刘兴
- 主分类号： H01F13/00
- IPC分类号： H01F13/00 ; H01F7/02
摘要：
本申请提供了一种永磁体的局部区域的退磁方法、装置及磁体。该退磁方法，包括：将退磁线圈靠近所述永磁体的局部区域放置，其中所述退磁线圈包括上线圈和下线圈，所述上线圈靠近所述局部区域的上方，所述下线圈靠近所述局部区域的下方；以及向所述退磁线圈通入电流，以产生与所述局部区域的磁化方向呈预定角度的退磁场，其中所述上线圈和所述下线圈所产生的磁场方向相同。
公开/授权文献:
- CN118888256B 永磁体的局部区域的退磁方法、装置及磁体 公开/授权日：2024-12-17
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01F | 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择 |
| ------H01F13/00 | 磁化或去磁的设备或方法 |