![一种具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管及其制备方法](/CN/2024/1/167/images/202410838206.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管及其制备方法
- 申请号:CN202410838206.5 申请日:2024-06-26
- 公开(公告)号:CN118867014A 公开(公告)日:2024-10-29
- 发明人: 张峰 , 田自谦 , 付钊 , 李子豪 , 张锐军 , 刘佳
- 申请人: 厦门大学
- 申请人地址: 福建省厦门市思明区思明南路422号
- 专利权人: 厦门大学
- 当前专利权人: 厦门大学
- 当前专利权人地址: 福建省厦门市思明区思明南路422号
- 代理机构: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙)
- 代理人: 张素斌
- 主分类号: H01L31/0352
- IPC分类号: H01L31/0352 ; H01L31/0224 ; H01L31/0312 ; H01L31/11 ; H01L31/18
摘要:
一种具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管及其制备方法,涉及紫外光电探测器。具有双层基区结构的碳化硅光电晶体管为npn垂直结构,包括从下到上依次设置的发射极电极、N