基本信息:
- 专利标题： 深沟槽隔离结构及其制造方法
- 申请号：CN202411204658.4 申请日：2024-08-30
- 公开(公告)号：CN118866809A 公开(公告)日：2024-10-29
- 发明人： 马健 , 胡君 , 段文婷 , 陈云骢 , 令海阳
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘昌荣
- 主分类号： H01L21/763
- IPC分类号： H01L21/763 ; H01L29/06
摘要：
本发明提供一种深沟槽隔离结构，包括P型的衬底，在衬底表面进行N型杂质注入形成有N型的埋层，在衬底上形成有P型的外延层，在外延层上形成有N型的深阱；在深阱上形成有浅沟槽隔离以定义出有源区；在深阱上形成有深沟槽，深沟槽自浅沟槽的隔离的上表面延伸至衬底上；在深沟槽的底部形成有N型掺杂层，深沟槽中填充有深沟槽隔离；形成于深阱上的N阱，N阱上形成有N型重掺杂区。本发明在深沟槽隔离底部增加N型掺杂层，在耗尽区内可拉起一个较高的峰值电场，提高击穿电压，深沟槽隔离底部增加N型掺杂层，这样可以隔断两侧的轻掺杂P型区域，有效缓解击穿后的负阻现象，提高Vhold(维持)电压。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/763 | ....多晶硅半导体区 |