
基本信息:
- 专利标题: 三维存储器编程方法
- 申请号:CN202410853191.X 申请日:2024-06-28
- 公开(公告)号:CN118866055A 公开(公告)日:2024-10-29
- 发明人: 彭泽忠 , 王苛
- 申请人: 成都皮兆永存科技有限公司
- 申请人地址: 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号
- 专利权人: 成都皮兆永存科技有限公司
- 当前专利权人: 成都皮兆永存科技有限公司
- 当前专利权人地址: 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区府城大道西段399号5栋1单元11层3号
- 代理机构: 成都惠迪专利事务所(普通合伙)
- 代理人: 李顺德; 王建国
- 主分类号: G11C16/12
- IPC分类号: G11C16/12 ; G11C16/10
摘要:
三维存储器编程方法,涉及集成电路技术,特别涉及三维存储器技术。本发明包括下述步骤:(1)就未选中的存储单元,其高压电平输入线和低压电平输入线中,至少有一个采取浮置;(2)就选中的存储单元,对其高压电平输入线施加第一电平VH,对其低压电平输入线施加第二电平VL;其特征在于,第一电平VH和第二电平VL满足下述关系:VH>0并且VL
IPC结构图谱:
G | 物理 |
--G11 | 信息存储 |
----G11C | 静态存储器 |
------G11C16/00 | 可擦除可编程序只读存储器 |
--------G11C16/02 | .电可编程序的 |
----------G11C16/06 | ..辅助电路,例如,用于写入存储器的 |
------------G11C16/10 | ...编程或数据输入电路 |
--------------G11C16/12 | ....编程电压开关电路 |