基本信息:
- 专利标题： 一种高压大电流金刚石横向肖特基二极管及其制备方法
- 申请号：CN202411333202.8 申请日：2024-09-24
- 公开(公告)号：CN118841454A 公开(公告)日：2024-10-25
- 发明人： 张鹏飞 , 张少鹏 , 王若铮 , 王玮 , 王宏兴
- 申请人： 西安交通大学
- 申请人地址： 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人： 西安交通大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 代理机构： 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理人： 张金玲
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L29/06 ; H01L29/16 ; H01L29/45 ; H01L29/47 ; H01L21/329
摘要：
本发明公开了一种高压大电流金刚石横向肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；通过在氢终端金刚石上开设梯形通孔，并在氢终端金刚石正面沉积肖特基接触层和欧姆接触层，在氢终端金刚石背面生长多晶金刚石，制备得到高压大电流金刚石横向肖特基二极管。本发明中的梯形通孔结构增加了横向肖特基二极管的耐压性能，使得横向肖特基二极管具有良好的电学特性。同时本发明在较薄的氢终端金刚石上制备肖特基接触层和欧姆接触层，降低了氢终端金刚石的使用成本，之后在背面生长多晶金刚石作为衬底，可以起到支撑作用，多晶金刚石的加入，可以在进一步提高器件性能的同时降低制造器件的成本。
公开/授权文献:
- CN118841454B 一种高压大电流金刚石横向肖特基二极管及其制备方法 公开/授权日：2024-12-10
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |