基本信息:
- 专利标题： 一种深接触孔绝缘栅双极晶体管元胞结构及制造方法
- 申请号：CN202410721013.1 申请日：2024-06-05
- 公开(公告)号：CN118841443A 公开(公告)日：2024-10-25
- 发明人： 高东岳 , 张大华 , 叶枫叶 , 钱培华
- 申请人： 南京南瑞半导体有限公司 , 国网浙江省电力有限公司杭州市萧山区供电公司
- 申请人地址： 江苏省南京市江宁经济开发区诚信大道19号2幢
- 专利权人： 南京南瑞半导体有限公司,国网浙江省电力有限公司杭州市萧山区供电公司
- 当前专利权人： 南京南瑞半导体有限公司,国网浙江省电力有限公司杭州市萧山区供电公司
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江宁经济开发区诚信大道19号2幢
- 代理机构： 南京禹为知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
- 代理人： 张台玉
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L21/331 ; H01L29/06
摘要：
本发明涉及半导体功率器件结构设计技术领域，特别是一种深接触孔绝缘栅双极晶体管元胞结构及制造方法，其包括N型漂移区、设置于N型漂移区上侧的接触沟槽、设置于N型漂移区上侧的P型体区、设置于P型体区上侧的N+型发射区、设置于N+型发射区上侧的多晶硅层，设置于多晶硅层下侧的场氧化层、设置于多晶硅层和场氧化层上侧的介质层、设置于介质层一侧的发射极金属化层，以及设置于N型漂移区背面的P+背面金属化层。本发明的有益效果为通过各结构配合使器件能够适用于高电压环境，实现快速开关，提高了电子注入效率，增强器件的导电效率，优化了器件内部的电场分布，提高器件的性能和可靠性，提高了器件的功率处理能力，提高了整体结构的适用性。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |