基本信息:
- 专利标题： 基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法
- 申请号：CN202410956209.9 申请日：2024-07-17
- 公开(公告)号：CN118841331A 公开(公告)日：2024-10-25
- 发明人： 杨鑫 , 张鹤 , 段强 , 杨振涛 , 刘林杰
- 申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 申请人地址： 河北省石家庄市合作路113号
- 专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 当前专利权人地址： 河北省石家庄市合作路113号
- 代理机构： 石家庄国为知识产权事务所
- 代理人： 王振珍
- 主分类号： H01L21/48
- IPC分类号： H01L21/48
摘要：
本发明提供了一种基于高温共烧陶瓷的高深径比DPC基板的制备方法，属于电子封装技术领域，包括：在生瓷片上按预设位置进行激光打孔，形成通孔；在通孔内填满金属浆料；在生瓷片的背面利用真空吸盘将所述通孔内的金属浆料吸出，在通孔侧壁挂浆形成一层浆料覆膜；将形成浆料覆膜的生瓷片堆叠层压成型，放入高温烧结炉进行高温共烧形成熟瓷片，此时通孔侧壁的浆料覆膜形成金属种子层；利用抛光机将熟瓷片的正背两表面抛光处理；经贴合干膜、光刻显影，完成金属化线路层的制作；去除干膜，经干燥后，完成DPC基板的制作。采用本发明制备的高深径比填充的DPC基板，由于通孔侧壁上能够形成完整的金属种子层，大大提升了DPC基板工作的可靠性。