基本信息:
- 专利标题： 氮化物半导体装置
- 申请号：CN202380025890.9 申请日：2023-02-27
- 公开(公告)号：CN118830090A 公开(公告)日：2024-10-22
- 发明人： 高堂真也 , 大岳浩隆
- 申请人： 罗姆股份有限公司
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人： 罗姆股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理人： 曾贤伟; 李平
- 优先权： 2022-037326 2022.03.10 JP
- 国际申请： PCT/JP2023/006954 2023.02.27
- 国际公布： WO2023/171438 JP 2023.09.14
- 进入国家日期： 2024-09-06
- 主分类号： H01L29/808
- IPC分类号： H01L29/808 ; H01L21/337 ; H01L21/338 ; H01L29/778 ; H01L29/812
摘要：
氮化物半导体装置具备电子供给层、栅极层、栅极电极、钝化层、源极电极、漏极电极、活性区域、以及在俯视时在与第一方向正交的第二方向上与活性区域相邻的非活性区域。栅极层包括在活性区域中在第二方向上延伸的主栅极部、在非活性区域中以与主栅极部连续的方式在第二方向上延伸的子栅极部、以及从子栅极部朝向第一方向上的漏极开口部突出的突出部。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/808 | ......带有PN结栅的 |