基本信息:
- 专利标题： 光电器件及其制备方法、应用
- 申请号：CN202411105456.4 申请日：2024-08-13
- 公开(公告)号：CN118804610A 公开(公告)日：2024-10-18
- 发明人： 曾海鹏 , 李兆宁 , 杨玉雯 , 应昕彤 , 樊慧柯
- 申请人： 天合光能股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 专利权人： 天合光能股份有限公司
- 当前专利权人： 天合光能股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省常州市新北区天合光伏产业园天合路2号
- 代理机构： 华进联合专利商标代理有限公司
- 代理人： 谢欣芸
- 主分类号： H10K30/86
- IPC分类号： H10K30/86 ; H10K85/10 ; H10K71/12 ; H10K30/30 ; H10K30/50
摘要：
本申请涉及一种光电器件及其制备方法、应用。上述光电器件包括基底层、设置在所述基底层上的空穴传输层和钙钛矿层，所述空穴传输层较所述钙钛矿层更靠近所述基底层；其中，所述空穴传输层的材料包括具有如下结构通式的自组装单分子材料：
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10K | 有机电固态器件 |
| ------H10K30/00 | 对红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射敏感的有机器件（集成器件或多个器件的组装件分入H10K39/00,H10K65/00） |
| --------H10K30/50 | .光伏 |
| ----------H10K30/81 | ..电极 |
| ------------H10K30/86 | ...具有高空穴迁移率的层，例如，空穴传输层或电子阻挡层 |