基本信息:
- 专利标题： 用于Micro-LED的外延片及其制备方法、Micro-LED
- 申请号：CN202411267783.X 申请日：2024-09-11
- 公开(公告)号：CN118782700A 公开(公告)日：2024-10-15
- 发明人： 舒俊 , 程龙 , 高虹 , 郑文杰 , 张彩霞 , 刘春杨 , 胡加辉 , 金从龙
- 申请人： 江西兆驰半导体有限公司
- 申请人地址： 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
- 当前专利权人： 江西兆驰半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号
- 代理机构： 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理人： 王建宇
- 主分类号： H01L33/06
- IPC分类号： H01L33/06 ; H01L33/12 ; H01L33/32 ; H01L33/00
摘要：
本发明公开了一种用于Micro‑LED的外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。其中，外延片依次包括衬底、缓冲层、N型GaN层、有源层和P型GaN层；有源层依次包括第一多量子阱层、第二多量子阱层、第一空穴注入增强层、第二空穴注入增强层和第三多量子阱层；第一多量子阱层包括交替层叠的In
公开/授权文献:
- CN118782700B 用于Micro-LED的外延片及其制备方法、Micro-LED 公开/授权日：2024-11-22