基本信息:
- 专利标题： 一种热电堆芯片及热电堆芯片的制备方法
- 申请号：CN202410928367.3 申请日：2024-07-11
- 公开(公告)号：CN118765152A 公开(公告)日：2024-10-11
- 发明人： 刘飞 , 徐德辉 , 蒋万里 , 张德阳
- 申请人： 上海烨映微电子科技股份有限公司
- 申请人地址： 上海市徐汇区桂平路481号16栋5楼
- 专利权人： 上海烨映微电子科技股份有限公司
- 当前专利权人： 上海烨映微电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市徐汇区桂平路481号16栋5楼
- 代理机构： 上海众象合一知识产权代理有限公司
- 代理人： 翟国建
- 主分类号： H10N10/17
- IPC分类号： H10N10/17 ; H10N10/13 ; H10N10/01
摘要：
本发明提供一种热电堆芯片，包括：衬底，所述衬底中部开设有空腔；一隔热结构，设置在所述衬底上表面，并过关于所述隔热结构的中心中心对称的一第一支撑臂以及一第二支撑臂，悬空在所述空腔上方的开口上；热电堆结构，设置在所述隔热结构中；所述热电堆结构中包括：一热端，通过所述第一支撑臂连接到所述衬底；一冷端，通过所述第二支撑臂连接到所述衬底；所述热端连接到所述衬底的热传导距离与所述冷端连接到所述衬底的热传导距离相等。本发明还包括对应热电堆芯片的热电堆芯片制备方法。本发明提供的热电堆芯片及其制备方法能够适用于温度变化较强的场景，适用性更强，且工作稳定性高，热电堆芯片的测量准确性大大提升。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H10 | 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件 |
| ----H10N | 其它不包括的电固态器件 |
| ------H10N10/00 | 包含不同材料结的热电器件，即表现出塞贝克或珀尔帖效应的器件 |
| --------H10N10/10 | .只利用珀尔帖效应或塞贝克效应工作的 |
| ----------H10N10/17 | ..按构成器件的单元或热电偶的结构或布局区分的 |