![一种步进式腔长可调光纤F-P腔MEMS传感器及其封装方法](/CN/2024/1/248/images/202411244650.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种步进式腔长可调光纤F-P腔MEMS传感器及其封装方法
- 申请号:CN202411244650.0 申请日:2024-09-06
- 公开(公告)号:CN118758346A 公开(公告)日:2024-10-11
- 发明人: 马志波 , 常志闯 , 喜奇 , 苑曦宸 , 田智勇
- 申请人: 西北工业大学
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区友谊西路127号
- 专利权人: 西北工业大学
- 当前专利权人: 西北工业大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市碑林区友谊西路127号
- 代理机构: 北京亿知臻成专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人: 褚一岚
- 主分类号: G01D5/26
- IPC分类号: G01D5/26
摘要:
本发明提供一种步进式腔长可调光纤F‑P腔MEMS传感器及其封装方法,其中MEMS传感器包括桶型壳体、敏感芯片和光纤,敏感芯片设置在壳体底部,光纤轴向设置在壳体内与敏感芯片相对,壳体下端部设置有水平调节机构,水平调节机构延伸进壳体内用于调节敏感芯片位置,壳体上端部内周设置有调节筒,调节筒内周套设有夹持光纤的夹持组件,壳体上端部周向设置有垂直调节机构,垂直调节机构用于调节光纤轴向移动,垂直调节机构包括至少一对垂直调节组件,垂直调节组件分布设置在壳体上端部周向,垂直调节组件包括设置在壳体周向的齿轮和设置在调节筒外周的齿条,齿轮和齿条啮合。本发明通过垂直调节机构实现腔长调节,避免人工插入光纤与芯片距离误差的问题。
公开/授权文献:
- CN118758346B 一种步进式腔长可调光纤F-P腔MEMS传感器及其封装方法 公开/授权日:2024-11-15