基本信息:
- 专利标题： 一种14T抗辐射SRAM存储单元电路与工作方法
- 申请号：CN202410861460.7 申请日：2024-06-28
- 公开(公告)号：CN118711631A 公开(公告)日：2024-09-27
- 发明人： 王翊 , 巩胜霞 , 王婧逸 , 柏娜 , 许耀华 , 周月亮 , 许祥妹 , 安康 , 孙鹏
- 申请人： 江淮前沿技术协同创新中心 , 安徽大学
- 申请人地址： 安徽省合肥市高新区望江西路920号中安创谷科技园二期H3、H4、H5、H6、H7、H8
- 专利权人： 江淮前沿技术协同创新中心,安徽大学
- 当前专利权人： 江淮前沿技术协同创新中心,安徽大学
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市高新区望江西路920号中安创谷科技园二期H3、H4、H5、H6、H7、H8
- 代理机构： 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙)
- 代理人： 杜丹丹
- 主分类号： G11C11/412
- IPC分类号： G11C11/412 ; G11C11/419 ; G11C7/06 ; G11C7/12 ; G11C7/24 ; G11C8/08
摘要：
一种14T抗辐射SRAM存储单元电路与工作方法，属于集成电路存储器领域，解决现有技术在辐射环境下，SRAM容易受到电离辐射的影响而导致存储单元的临时或永久性故障的问题；包括8个PMOS晶体管和6个NMOS晶体管，PMOS管P5的栅极与PMOS管P6的漏极电连接，PMOS管P5的漏极与PMOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构，同时，第一冗余节点与第二冗余节点采用双下拉管结构且下拉管分别由不同反馈进行控制；本发明实现了可完全抵抗单个节点处发生数据翻转，同时，在双节点同时发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。
IPC结构图谱:
| G11C11/56 | 组优先于G11C11/02至G11C11/54中各组。 |
| --G11C11/19 | .在谐振电路中应用非线性电抗器件的 |
| ----G11C11/26 | ..应用放电管的 |
| ------G11C11/40 | ...应用晶体管的 |
| --------G11C11/401 | ....形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的 |
| ----------G11C11/412 | .....只使用场效应晶体管的 |