![一种高对称性微半球谐振结构成型方法](/CN/2024/1/235/images/202411177103.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 一种高对称性微半球谐振结构成型方法
- 申请号:CN202411177103.5 申请日:2024-08-26
- 公开(公告)号:CN118687596B 公开(公告)日:2024-10-25
- 发明人: 石岩 , 吴学忠 , 肖定邦 , 蹇敦想 , 席翔 , 卢坤
- 申请人: 中国人民解放军国防科技大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科技大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 代理机构: 长沙国科天河知识产权代理有限公司
- 代理人: 张新龙
- 主分类号: G01C25/00
- IPC分类号: G01C25/00 ; B30B9/00 ; B30B15/02 ; B30B15/26 ; B30B15/34 ; G01C19/5691
摘要:
本发明涉及一种高对称性微半球谐振结构成型方法,包括:在成型模具的成型空腔的开口端设置样品材料片,并基于真空单元对成型空腔抽真空以对样品材料片真空吸附;在样品材料片的上方布置热源,并调整热源与样品材料片的相对位置;启动转动单元以驱动成型模具转动,并启动热源对样品材料片的成型区域进行加热;在样品材料片的成型过程中,采用预设控制方案调整热源的输出温度,主轴的转速,成型空腔的真空负压和成型时间,以完成样品材料片的成型加工;依次关闭转动单元和真空单元,并将成型模具移至卸载位置,以取下成型的微半球谐振结构。本发明所制备的谐振结构成型精度更高,结构对称性更好,工艺更加简单可靠,可实现高效率批量生产。
公开/授权文献:
- CN118687596A 一种高对称性微半球谐振结构成型方法 公开/授权日:2024-09-24
IPC结构图谱:
G | 物理 |
--G01 | 测量;测试 |
----G01C | 测量距离、水准或者方位;勘测;导航;陀螺仪;摄影测量学或视频测量学 |
------G01C25/00 | 有关本小类其他各组中的仪器或装置的制造、校准、清洁或修理 |